因為在切割好的多晶硅片和拋光后的單晶硅片的過程中所產生的損傷會被酸性混合溶液腐蝕。該混合物中包括氫氟酸，硝酸，與去離子水，而磷酸或硫酸則作為稀釋劑。在腐蝕剛開始的階段，因為硅片切割時產生的表面裂縫，轉化深和長的坑。這種坑所產生的反射是很低的。然而，由于進行酸腐蝕損壞的表面區(qū)域之外，更多的反射，泡沫般的腐蝕絨面獲得。